制冷型光电探测器
特点：
自主封装
可封装InGaAs雪崩光电探测器也可封装SI雪崩光电探测器
带尾纤输出
应用：
传感
测量
测距
环境恶劣的工作场所
光电特性：
参 数 小值 典型值 较大值
响应光谱（nm）(InGaAs光电探测器) 1000 1700
响应光谱（nm）(SI光电探测器) 400 1100
响应度（A/W） λ = 1300nm(InGaAs光电探测器) 8
λ = 850nm(SI光电探测器) 60
工作电压（V） InGaAs光电探测器 40 60
SI光电探测器 120 200
TEC工作电压(V) 3 5
TEC工作电流(A) 0 2
工作温度(℃) -40 70
带宽(-3dB)(加了前置放大后) 200MHZ
封装形式 蝶形8PIN
热敏电阻类型 NTC10K/25℃
加前置放大 可选择
note:图片仅供参考,尺寸以实物为准,具体性能指标见每支器件参数
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制冷型光电探测器
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- 联系人姓名：魏一
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深圳市飞博源光电技术有限公司
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